A63.7081 Sgan Allyriadau Maes Schottky Sganio Electron Microsgop Pro FEG SEM, 15x ~ 800000x

A63.7081 Schottky Field Emission Gun Scanning Electron Microscope Pro FEG SEM, 15x~800000x Featured Image

Disgrifiad Byr:

15x ~ 800000x Microsgop Electron Sganio Gwn Allyriadau Maes Schottky
Cyflymiad E-Beam Gyda Thrawst Sefydlog Cyflenwad Cyfredol Delwedd Ardderchog O dan Foltedd Isel
Gellir arsylwi sampl nad yw'n ddargludiad yn uniongyrchol dim angen ei sputio mewn foltedd isel
Rhyngwyneb Gweithrediad Hawdd a Chyfeillgar, Pawb yn Gwrthgyferbyniol â Llygoden Yn System Windows
Ystafell Sampl Fawr Gyda Phum Echel Cam Modur Eucentrig Maint Mawr, Diagram Sampl Max.320mm
Isafswm archeb:1

Manylion y Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

A63.7081_01.jpg

Disgrifiad o'r Cynnyrch

A63.7081 Gwn Allyrru Maes Schottky Sganio Microsgop Electron SEM Pro FEG
Penderfyniad		1nm @ 30KV (SE); 3nm @ 1KV (SE); 2.5nm@30KV (BSE)
Chwyddiad		15x ~ 800000x
Gwn Electron		Gwn Electron Allyrru Schottky
Beam Electron Cyfredol		10pA ~ 0.3μA
Cyflymu Voatage		0 ~ 30KV
System Gwactod		2 Bwmp Ion, Pwmp Moleciwlaidd Turbo, Pwmp Mecanyddol
Synhwyrydd		SE: Synhwyrydd Electron Eilaidd Gwactod Uchel (Gyda Diogelu Synhwyrydd)
		BSE: Synhwyrydd Gwasgaru Cefn Segmentu Semiconductor Four
		CCD
Cam Sampl		Cam Modur Ecentrig Pum Echel
Ystod Teithio	X	0 ~ 150mm
	Y	0 ~ 150mm
	Z	0 ~ 60mm
	R	360º
	T	-5º ~ 75º
Diamedr Sampl Max		320mm
Addasu		EBL; STM; AFM; Cam Gwresogi; Cam Cryo; Cam Tynnol; Manipulator Micro-nano; Peiriant Gorchuddio SEM +; SEM + Laser Etc.
Ategolion		Synhwyrydd Pelydr-X (EDS), EBSD, CL, WDS, Peiriant Gorchuddio Etc.

A63.7081_03.jpg

A63.7081_04.jpg

A63.7081_05.jpg

A63.7081_06.jpg

A63.7081_07.jpg

A63.7081_08.jpg

A63.7081_09.jpg

A63.7081_10.jpg

A63.7081_11.jpg

Mantais ac Achosion

Mae sganio microsgopeg electron (sem) yn addas ar gyfer arsylwi topograffi arwyneb metelau, cerameg, lled-ddargludyddion, mwynau, bioleg, polymerau, cyfansoddion a deunyddiau un dimensiwn, dau ddimensiwn a thri dimensiwn nano-raddfa (delwedd electron eilaidd, delwedd electron backscattered). Gellir ei ddefnyddio i ddadansoddi cydrannau pwynt, llinell ac arwyneb microregion. Fe'i defnyddir yn helaeth mewn petroliwm, daeareg, maes mwynau, electroneg, maes lled-ddargludyddion, meddygaeth, maes bioleg, diwydiant cemegol, maes deunydd polymer, ymchwiliad troseddol i ddiogelwch y cyhoedd, amaethyddiaeth, coedwigaeth a meysydd eraill.